STL120N2VH5

在追求极致效率的电源管理与电机驱动设计中，工程师们是否常常面临这样的困境：如何在有限的空间内，实现更高的电流承载与更低的导通损耗？答案或许就藏在STL120N2VH5这颗功率器件之中。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET V技术的杰出代表，专为那些对性能和空间都极为苛刻的应用而生。

想象一下，在服务器电源模块、高性能DC-DC转换器或是电动工具的无刷电机驱动中，每一瓦的损耗都意味着效率的降低和热管理的挑战。STL120N2VH5以其仅3毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），在高达120A的连续电流下，能显著减少导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其紧凑的PowerFlat 5x6封装，更是为高密度PCB布局提供了完美解决方案，让您在寸土寸金的电路板上游刃有余。

选择它，就是选择了一种可靠且高效的动力核心。其2.5V的低栅极驱动电压门槛，使其能与现代低电压逻辑电路轻松匹配，简化驱动设计。同时，高达80W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了其在严苛环境下的稳定运行与长寿命。无论您是在设计下一代数据中心电源，还是升级消费级高功率设备，这颗芯片都能成为提升产品竞争力的关键一环。如需获取正品保障与专业的技术支持，我们的ST授权代理团队随时为您服务。

尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和经过市场验证的可靠性，使其在特定存量项目或对性能有极致要求的场景中，依然具有不可替代的参考价值和选型意义。它代表了一个时代的技术高峰，其设计理念将继续启发未来的高效能解决方案。

• 型号:STL120N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 14A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 2.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4660 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL120N2VH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时征服高电流与低损耗挑战的功率开关吗？STL120N2VH5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的120A连续电流处理能力，而其导通电阻低至仅3毫欧，能大幅降低您在电源路径上的能量损耗，让系统运行更凉爽、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat封装，让您能在紧凑的设计中轻松集成强大动力。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是驱动高性能电机，它都能以卓越的开关性能和热管理能力，助您轻松实现产品性能的飞跃。