STL13N60M6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL13N60M6技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的散热和体积而妥协？让我们向您介绍一款能够打破平衡、带来显著性能跃升的解决方案STL13N60M6。这款来自ST意法半导体的高性能MOSFET，凭借其先进的MDmesh M6技术，将600V的耐压能力与超低的导通电阻完美结合，为您的高压开关应用注入强劲动力。它不仅意味着更低的传导损耗和更高的系统效率，更代表着在严苛环境下依然稳定可靠的卓越品质。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求小型化的LED照明和充电器设计，STL13N60M6都能游刃有余。其7A的连续漏极电流和高达52W的功率耗散能力，确保了在持续高负载下的稳定输出。而独特的PowerFlat HV封装，在提供优异散热性能的同时，大幅节省了宝贵的PCB空间，让您的产品设计更加灵活、紧凑。这意味着您可以在更小的体积内实现更高的功率密度，轻松应对市场对设备小型化和高效化的双重需求。

选择STL13N60M6，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与前瞻性的技术视野。它不仅仅是一个元器件，更是提升您产品整体竞争力的关键一环。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品应对极端环境的能力，而优化的栅极电荷特性则有助于简化驱动电路设计，降低系统整体成本。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST芯片代理服务将全程为您保驾护航，确保您的创新想法能够快速、顺畅地转化为市场领先的产品。现在就采用STL13N60M6，开启能效与密度兼备的新篇章！

型号:STL13N60M6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）HV
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:415 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:509 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:52W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您正在寻找一颗能同时征服高压、高效率和紧凑空间挑战的功率开关吗？STL13N60M6正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和7A的强大电流处理能力，核心采用了ST先进的MDmesh M6技术，能显著降低导通电阻，从而大幅减少开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用创新的PowerFlat HV封装，不仅散热性能出众，更能帮您极大节省电路板空间，轻松实现高功率密度设计。无论是面对工业环境的严苛考验，还是满足消费电子对小巧体积的追求，STL13N60M6都能让您自信应对，可靠提升最终产品的整体性能和市场竞争力。