STL31N65M5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一款能在650V高压下稳定运行，同时将导通损耗和开关损耗双双降至新低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源方案？今天，我们为您带来的正是这样一款划时代的解决方案STL31N65M5。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh V技术平台，这颗芯片天生就为高效而生。其162毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在相同的电流下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热损耗。高达150°C的结温工作能力和125W（Tc）的强大功率耗散，赋予了它无与伦比的坚固性与可靠性，即使在最严苛的环境或满载冲击下，也能游刃有余，确保系统长久稳定运行。其优化的栅极电荷（Qg）特性，更能显著降低开关损耗，让您的系统在追求高频高效的道路上再无后顾之忧。

无论是服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器，还是高功率LED照明和电动汽车充电桩，STL31N65M5都能大显身手。它完美契合了现代电力电子设备对高功率密度、高可靠性和高能效的三大核心诉求。在紧凑的PowerFlat 8x8 HV封装内，它集成了顶级的性能，帮助您轻松实现系统的小型化与轻量化设计，同时大幅提升整机效率，直接转化为产品的市场优势与用户的长期价值。选择它，就是为您的产品注入了来自ST的尖端基因。

为何众多领先厂商都将目光投向STL31N65M5？答案在于其无可比拟的综合价值。它不仅仅提供了优异的参数，更代表了一种经过市场验证的平衡艺术在电压耐受性、电流处理能力、开关速度与热管理之间取得了完美平衡。这意味着更少的设计妥协，更快的产品上市周期，以及更低的系统总成本。当您需要可靠的技术支持和本土化服务时，专业的ST中国代理网络将是您坚实的后盾，确保您从选型到量产的全程顺畅。立即采用STL31N65M5，让它成为您下一款明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STL31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta），15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:162 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1865 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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还在为高压应用的效率提升和散热设计绞尽脑汁吗？让STL31N65M5来为您分忧！这颗基于ST先进MDmesh V技术的N沟道功率MOSFET，是您实现高效电能转换的得力助手。

它拥有650V的高耐压和15A（Tc）的强大电流能力，配合仅162毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。其优化的开关特性（Qg仅45nC）有助于减少开关损耗，提升整体能效。采用紧凑的PowerFlat HV封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其卓越的热性能（125W Tc）更能让您轻松应对高功率挑战，确保系统长期稳定可靠。