STL38DN6F7AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL38DN6F7AG技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的汽车电子设计中，您是否还在为寻找一颗能同时兼顾高性能与高集成度的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STL38DN6F7AG。这颗来自意法半导体（STMicroelectronics）的汽车级双N沟道MOSFET阵列，正是为应对严苛的汽车应用环境而生，其卓越的性能参数将直接转化为您产品在市场上的竞争优势。

想象一下，在引擎控制单元（ECU）、LED照明驱动或先进的DC-DC转换器中，STL38DN6F7AG能够轻松驾驭。它高达60V的漏源电压和10A的连续漏极电流，为您的设计提供了充沛的功率处理能力。而其核心魅力在于极低的导通电阻仅27毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，系统效率得到显著提升，电池续航得以延长，这正是电动汽车和高效燃油车梦寐以求的特性。其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了从冰天雪地到酷热引擎舱的极端环境下，性能依然稳定如一。

选择STL38DN6F7AG，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。它隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive系列，并采用了先进的STripFET F7技术，这不仅代表了顶级的可靠性，更意味着更小的封装尺寸和更优的散热性能。其8-PowerVDFN表面贴装封装，非常适合空间紧凑的现代汽车电子模块。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，我们的ST中国代理团队将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。让STL38DN6F7AG成为您下一个汽车电子项目的动力核心，它将帮助您打造出更高效、更可靠、更具市场竞争力的终端产品。

型号:STL38DN6F7AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 60V 10A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:2 N-通道（双）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380pF @ 25V
功率 - 最大值:57.7W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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您正在设计需要高效功率切换的汽车电子系统吗？STL38DN6F7AG正是为您而来的得力助手。这颗汽车级双N沟道MOSFET阵列，能轻松处理高达60V的电压和10A的电流，其超低的27毫欧导通电阻，让您的系统运行更“冷静”，能量损耗大幅降低，直接提升整体能效。

它采用先进的STripFET F7技术，在微小的8-PowerVDFN封装内实现了高达57.7W的功率处理能力。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和AEC-Q101认证，确保它在最严苛的汽车环境下依然稳定可靠。无论是驱动电机、管理电源还是控制照明，STL38DN6F7AG都能让您的设计更高效、更紧凑，助力产品快速赢得市场。