STL4N80K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL4N80K5技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为高压开关损耗和空间占用而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH5家族中的高压开关利器STL4N80K5。它不仅仅是一颗MOSFET，更是您实现高效、可靠、小型化电源设计的核心引擎，专为挑战严苛的高压应用而生。

想象一下，在您的开关电源、LED驱动或家用电器辅助电源中，一颗芯片需要承受高达800V的电压冲击，同时还要保持极低的导通损耗和快速的开关响应。STL4N80K5正是为此场景量身打造。其先进的SuperMESH5技术，在800V的漏源电压（Vdss）下，实现了仅为2.5欧姆的超低导通电阻（Rds(on)），这意味着更少的热量产生和更高的能源转换效率。无论是面对反激式拓扑还是功率因数校正（PFC）电路，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定运行，让您的产品在各种环境下都拥有坚如磐石的可靠性。

选择STL4N80K5，就是选择了一种面向未来的设计思路。其创新的PowerFlat（5x6）封装，在提供高达38W散热能力的同时，将占板面积压缩到极致，完美契合当今电子产品轻薄短小的潮流。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了驱动损耗和开关噪声，让您的系统设计更简洁，电磁兼容性（EMC）表现更优异。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理商将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STL4N80K5成为您下一个明星产品的“心脏”，它所带来的高效能与高可靠性，将直接转化为您产品的市场竞争力与用户口碑。

型号:STL4N80K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:38W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与小封装的“全能型”开关管吗？STL4N80K5正是您的理想之选。这颗来自意法半导体SuperMESH5系列的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和2.5A的连续电流能力，专为要求苛刻的开关电源和功率转换应用而设计。

它最核心的价值，在于用尖端技术为您化解设计难题。其超低的2.5欧姆导通电阻，能显著减少导通损耗，提升整体能效，让您的产品更节能、发热更少。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关速度更快、驱动更轻松，有效降低开关损耗和噪声。所有这些优势，都被集成在一个散热出色的PowerFlat微型封装内，让您能轻松实现高功率密度的小型化设计，在竞争中脱颖而出。