STL52N25M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL52N25M5技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高频开关下依然保持低温、让系统效率轻松突破95%的功率器件，将如何重塑您的产品竞争力？今天，我们向您隆重介绍STL52N25M5，这颗源自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、降低系统总成本的秘密武器。

当我们将目光投向实际应用，STL52N25M5的身影活跃在众多关键领域。在服务器电源和通信电源中，其250V的漏源电压和28A的连续漏极电流提供了坚实的功率处理基础，而极低的65毫欧导通电阻（@14A,10V）直接转化为更少的导通损耗，意味着更低的温升和更高的可靠性。对于LED驱动和工业电机控制而言，其优化的栅极电荷（仅47nC）和输入电容特性，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，让您的设计在效率曲线上始终占据高位。即便面对紧凑的PCB布局，其表面贴装的PowerFlat（5x6）封装也能游刃有余，帮助您实现高功率密度的小型化设计。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐STL52N25M5？答案在于它带来的综合价值飞跃。MDmesh V技术确保了其在高压下依然拥有卓越的开关性能和雪崩耐量，这是系统稳健运行的基石。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了产品应对严苛环境挑战的强大底气。选择它，意味着您选择了更长的产品寿命、更低的散热成本和更简洁的电路设计。我们作为值得信赖的ST中国代理，不仅为您提供这颗性能出众的芯片，更提供从选型支持到供应链保障的全方位服务，确保您的创新想法能够高效、无忧地转化为市场领先的产品。立即体验STL52N25M5，让它成为您下一个成功设计的强大心脏。

型号:STL52N25M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1770 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STL52N25M5就是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有250V耐压和28A电流能力，其核心魅力在于极低的65毫欧导通电阻和仅47nC的栅极电荷。这意味着它能为您大幅降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，让热量更少，运行更凉爽。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业电机驱动、LED照明等高要求应用。其优化的动态特性确保开关迅速而干净，助力您实现高频、高效的设计。同时，紧凑的PowerFlat封装节省宝贵板级空间，让高功率密度设计成为可能。选择STL52N25M5，就是选择了一条通往更高性能、更可靠产品的捷径。