STL62P3LLH6

当您的下一个设计项目需要在高功率密度与紧凑空间之间找到完美平衡点时，您是否曾为寻找一颗既能承载大电流、又能实现高效热管理的P沟道MOSFET而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体（STMicroelectronics）的卓越之作STL62P3LLH6。这颗基于先进STripFET H6技术打造的功率器件，正是为应对严苛的现代电子应用挑战而生，它将卓越的性能封装在微小的身躯里，为您开启高效能设计的新篇章。

想象一下，在空间极其有限的便携式设备、高密度服务器电源模块或是迅猛发展的汽车辅助系统中，每一平方毫米的PCB面积都价值连城。STL62P3LLH6凭借其创新的PowerFlat（5x6）封装，实现了极低的占板面积，同时其高达62A的连续漏极电流承载能力和仅10.5毫欧的超低导通电阻，意味着它能在极小的空间内处理惊人的功率，大幅减少导通损耗，提升整体系统效率。无论是用于负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器中的同步整流，它都能游刃有余，确保您的产品在性能竞赛中脱颖而出。

选择STL62P3LLH6，不仅仅是选择了一颗高性能MOSFET，更是选择了一份可靠性与设计灵活性的保障。其宽泛的驱动电压范围（4.5V至10V）和极低的栅极电荷（仅33nC），让驱动电路设计变得异常简单，有效降低了开关损耗，提升了高频应用下的表现。高达175°C的结温工作能力和100W的功率耗散，确保了其在恶劣环境下的稳定运行。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取经过严格质量控制的库存，为您的经典或特定需求设计提供持续、可靠的支持。让这颗凝聚了ST尖端技术的芯片，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电子产品的强大心脏。

• 型号:STL62P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL62P3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为P沟道MOSFET的功率与尺寸矛盾而烦恼吗？STL62P3LLH6为您提供一站式解决方案。这颗来自意法半导体的功率器件，集成了STripFET H6先进技术，能在微型PowerFlat封装内轻松驾驭高达62A的连续电流，其超低的10.5毫欧导通电阻，能显著降低系统功耗，让您的设计效率飙升。

它专为追求高功率密度和可靠性的应用而优化。无论是需要紧凑布局的便携设备电源管理，还是对效率和散热要求严苛的电机控制与DC-DC转换，STL62P3LLH6都能凭借其优异的电气特性（如低栅极电荷和宽驱动电压）和强大的热性能（工作结温高达175°C），让您轻松应对设计挑战，打造出更高效、更可靠、更具竞争力的终端产品。