STP5N52K3

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与可靠性的三重挑战？今天，我们为您带来一个历经市场验证的经典答案STP5N52K3。这颗源自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道功率MOSFET，以其高达525V的漏源电压和卓越的开关性能，为您的设计注入强大而稳定的动力核心。它不仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现高效能量转换的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，STP5N52K3能够轻松应对高压环境，确保系统在严苛条件下稳定运行。其4.4A的连续漏极电流和仅为1.5欧姆的低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接提升了整机效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是工业电机驱动、UPS不同断电源，还是各类离线式电源转换器，它都能游刃有余，成为电路中可靠的能量开关。

选择STP5N52K3，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。其TO-220封装工艺成熟，便于安装和散热，宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了它在极端环境下的出色表现。虽然该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其在特定升级、备件替换或成本优化项目中依然极具价值。当您需要稳定可靠的ST经典器件时，可以随时联系我们的ST芯片代理团队，获取专业的选型支持与库存信息。让这颗经典的高压MOSFET，继续为您的创新产品保驾护航，实现效率与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STP5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起高压开关重任、同时保持高效低耗的“能量守门员”吗？STP5N52K3正是这样一款利器。它基于意法半导体先进的SuperMESH3技术打造，拥有525V的高耐压和4.4A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动等应用中的核心开关角色。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至1.5欧姆的导通电阻和优化的栅极电荷，大幅降低开关损耗和传导损耗，让您的电源系统运行更高效、发热更少。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种环境下长期稳定工作，让您设计的产品更可靠、寿命更长。