STP80NF55-08 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP80NF55-08技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗和温升问题而烦恼？想象一下，如果有一款MOSFET能够将导通电阻降至惊人的8毫欧，同时承载高达80A的连续电流，这将会为您的设计带来怎样的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的力作STP80NF55-08，它正是为解决这些核心挑战而生。

这款采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，其55V的漏源电压和极低的Rds(on)特性，让它成为高效率DC-DC转换器、电机驱动和电源管理应用的理想心脏。无论是驱动工业机械臂中的伺服电机，还是为数据中心的高密度服务器电源提供精准的功率开关，STP80NF55-08都能以更低的导通损耗，将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这意味着您的终端产品不仅能运行得更冷静、更安静，还能在相同的输入下获得更强的输出能力，直接提升产品的市场竞争力。

选择STP80NF55-08，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的可靠承诺。其坚固的TO-220AB封装和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，确保了它在严苛环境下的稳定性和长寿命。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更加敏捷。当您需要为关键项目寻找值得信赖的功率解决方案时，通过专业的ST代理商获取正品STP80NF55-08，无疑是确保供应链稳定和产品性能一致性的明智之举。它不仅仅是一个组件，更是您释放产品潜能、打造市场差异化优势的战略性选择。

型号:STP80NF55-08
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
包装:管件
产品状态:不适用于新设计
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起大电流、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP80NF55-08正是您的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的8毫欧导通电阻。这意味着它能大幅减少导通状态下的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

得益于STripFET技术，它不仅功耗低，开关性能同样出色。较低的栅极电荷让驱动更轻松，实现快速高效的开关动作。无论是用于提升开关电源的能效，还是驱动高功率电机，STP80NF55-08都能让您的设计轻松应对高负载挑战，在-55°C到175°C的宽广温度范围内稳定工作，为您带来可靠又高效的动力核心。