STP95N3LLH6

想象一下，在您的下一个电源转换或电机驱动项目中，如何将系统效率再提升一个台阶，同时将发热和空间占用降至更低？答案或许就藏在这颗性能卓越的功率开关器件之中。今天，我们为您隆重介绍意法半导体（STMicroelectronics）的明星产品STP95N3LLH6。它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、紧凑、可靠设计的得力助手。

得益于其先进的DeepGATE和STripFET VI技术，这款N沟道MOSFET在导通电阻上表现惊人，在10V驱动电压、40A电流下，其Rds(ON)低至仅4.7毫欧。这意味着什么？意味着更低的导通损耗，更少的能量以热量的形式浪费掉，从而让您的系统运行得更“冷静”，效率更高。高达80A的连续漏极电流承载能力和30V的漏源电压，赋予了它强大的功率处理能力，足以应对各种严苛的负载条件。无论是用于同步整流、DC-DC转换器的下管，还是电机驱动、电池保护电路中的开关，STP95N3LLH6都能游刃有余，确保动力传输的顺畅与精准。

选择STP95N3LLH6，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其高达175°C的结温工作范围，确保了在高温环境下依然稳定运行，大大提升了系统的整体鲁棒性。经典的TO-220AB通孔封装，不仅便于焊接和散热处理，也使其成为对现有设计进行升级或替换的理想选择。当您需要为项目寻找一个性能与成本完美平衡的功率解决方案时，这颗芯片无疑是您的上佳之选。我们作为值得信赖的ST中国代理，不仅能为您提供正品保障的原装芯片，更能提供专业的技术支持，帮助您将这颗强大“心脏”的性能发挥到极致，加速您的产品上市进程。

• 型号:STP95N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为寻找一颗能同时满足高效率、大电流和出色热管理的功率开关而烦恼吗？让STP95N3LLH6来为您解决难题！这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的DeepGATE技术，拥有低至4.7毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能够轻松处理高达80A的连续电流和30V的电压，是同步整流、DC-DC转换和电机控制的理想选择。其坚固的TO-220AB封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境下的长期可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“动力核心”。