STS5P3LLH6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STS5P3LLH6技术参数详情：

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能提供强大驱动能力，又能将功耗和发热控制在理想水平的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的STS5P3LLH6，正是意法半导体基于先进的STripFET H6技术打造的答案。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的便携设备电源管理模块中，这颗芯片以其仅56毫欧的超低导通电阻，轻松驾驭5A的连续电流，将导通损耗降至最低，这意味着更长的电池续航和更凉爽的机身温度。其卓越的DeepGATE技术确保了在低至4.5V的驱动电压下就能实现高效导通，让您的系统即使在电压波动时也能稳定可靠地工作。从智能手机的负载开关到平板电脑的充电管理，从便携式POS机的电源路径控制到无人机电池保护板的精密控制，STS5P3LLH6都能无缝融入，成为保障系统高效、安全运行的无名英雄。

选择它，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。意法半导体的深厚技术积淀，赋予了这颗芯片高达150°C的结温和2.7W的强大散热能力，确保其在严苛环境下依然表现坚如磐石。其紧凑的8-SO封装，为您的PCB布局节省了宝贵空间，让设计更加灵活精巧。更重要的是，通过与可靠的ST芯片代理合作，您不仅能获得稳定供货和技术支持，更能将这款高性能芯片的价值快速转化为您产品的市场优势。当效率、可靠性与空间利用率成为决胜关键时，STS5P3LLH6就是您不容错过的明智之选，它将助您的创意轻松落地，赢得先机。

型号:STS5P3LLH6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
包装:卷带（TR）
产品状态:最后售卖
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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还在寻找能完美平衡性能与功耗的电源开关解决方案吗？让意法半导体的STS5P3LLH6 P沟道MOSFET为您开启高效设计新篇章。它凭借STripFET H6技术，为您带来仅56毫欧的超低导通电阻，轻松处理高达5A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的便携设备续航更持久，运行更凉爽。

这颗芯片能在低至4.5V的驱动电压下高效工作，开关迅速且栅极电荷极低，让您的系统响应更敏捷，整体能效大幅提升。其坚固的设计支持高达150°C的工作结温，确保在各种应用环境中稳定可靠。无论是用于电源管理、负载开关还是电机驱动，STS5P3LLH6都能让您以更小的空间占用，实现更强大的控制功能，是您打造下一代高性能电子产品的理想核心部件。