STU13NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU13NM60N技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够完美解决这一难题的功率器件STU13NM60N。这款来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，不仅仅是一个简单的开关，它是您提升产品性能、降低整体能耗并增强市场竞争力的强大引擎。其600V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，为各种中高功率应用提供了坚实的基石，让您的设计从一开始就站在高可靠性的起跑线上。

想象一下，在您熟悉的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，STU13NM60N正以其卓越的性能默默工作。得益于其仅为360毫欧的低导通电阻（在5.5A, 10V条件下），它在导通状态下的损耗被降至极低，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的系统效率得以实现。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让您的电源系统即使在频繁开关的高频工况下也能保持冷静与高效。这种从“芯”出发的效率提升，直接转化为产品更长的运行时间、更低的运营成本以及更出色的用户体验。

选择STU13NM60N，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。意法半导体的MDmesh II技术，专为降低导通电阻和优化动态性能而设计，确保了器件在严苛环境下的长久耐用。其通孔IPAK（TO-251）封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达90W的功率耗散，也兼顾了生产制造的便利性与可靠性。当您需要稳定可靠的供货与专业的技术支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，将是保障项目顺利推进、获取正品原装芯片的最佳途径。无论是升级现有产品还是开发全新平台，这颗集高效、可靠、易用于一身的功率MOSFET，都将是您设计中不可或缺的核心力量，助您轻松驾驭600V电压舞台，释放11A电流潜能，打造出真正令市场瞩目的高效能产品。

型号:STU13NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:90W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
现在可以订购STU13NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？STU13NM60N正是为您而来。这颗采用意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和11A的强大电流处理能力，其核心使命就是让您的电源转换、电机控制或照明应用运行得更流畅、更节能。

它通过极低的导通电阻（仅360毫欧）大幅减少导通损耗，配合优化的开关特性，显著提升系统整体效率。同时，其坚固的IPAK通孔封装和高达150°C的结温工作能力，确保了在 demanding 环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”，让您轻松实现高效、紧凑且耐用的设计目标。