STU75N3LLH6-S - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU75N3LLH6-S技术参数详情：

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，当您的DC-DC转换器或电机驱动系统需要处理高达75A的连续电流时，每一毫欧的导通电阻都意味着宝贵的能量被转化为热量而非动力。今天，我们为您带来一个经过市场验证的高性能解决方案STU75N3LLH6-S，这颗源自ST意法半导体DeepGATE与STripFET VI技术家族的N沟道MOSFET，正是为应对此类严苛挑战而生。

它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体能效的得力助手。凭借低至5.9毫欧的导通电阻（Rds(on)），在37.5A的电流和10V的驱动电压下，它能将导通损耗降至极低水平，让更多的电能用于驱动负载，而非白白浪费。其卓越的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，这对于高频开关应用至关重要，能显著降低开关损耗，提升系统响应速度。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率密度LED照明和电池管理保护系统，这颗芯片都能游刃有余，在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，提供可靠的性能保障。

选择STU75N3LLH6-S，意味着您选择了一种经过优化的平衡艺术。它在低导通电阻、快速开关性能和稳健的驱动能力（Vgs最大±20V）之间取得了完美平衡。其IPAK通孔封装提供了优异的散热路径和机械强度，非常适合对可靠性要求极高的工业环境。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目升级或寻找经典替代方案的绝佳选择。通过与值得信赖的ST芯片代理合作，您依然可以获取这颗经典器件，为您的成熟设计注入持久的生命力，确保产品性能的连贯与稳定。

型号:STU75N3LLH6-S
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在寻找能够扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STU75N3LLH6-S N沟道MOSFET就是您的高效答案。它集成了ST先进的DeepGATE技术，旨在让您的电源转换和电机控制应用运行得更冷静、更高效。

这颗芯片能轻松驾驭高达75A的连续电流，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，直接提升系统整体能效。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速开关，帮助您降低开关损耗，实现更高频率的设计。无论是用于构建高效的同步整流电路，还是驱动强劲的直流电机，它都能提供稳定可靠的性能，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借优异的能效表现脱颖而出。