STW160N75F3

当您的电源设计需要在75V电压下承载高达120A的电流，同时还要将导通损耗降至最低，您会如何选择？答案就藏在STW160N75F3这颗性能卓越的功率MOSFET中。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统效率、释放功率密度的关键引擎。凭借意法半导体先进的STripFET技术，它在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的4毫欧，这意味着在相同的电流下，它能将更多的电能转化为有用功，而非无谓的热量，让您的电源模块或电机驱动方案从一开始就站在了高效能的起跑线上。

想象一下，在服务器电源、工业变频器、大功率DC-DC转换器乃至新能源车的车载充电机中，STW160N75F3正以其强悍的电流处理能力和出色的热性能稳定运行。它高达330W的功率耗散能力，配合TO-247-3封装带来的优秀散热特性，确保设备即使在严苛的工业环境或持续高负载下也能游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）更是为极端工况提供了坚实的可靠性保障，让您的产品无惧挑战，稳定输出澎湃动力。

选择STW160N75F3，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。它极低的栅极电荷（85nC）有助于降低开关损耗，提升系统整体频率与响应速度。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和久经考验的可靠性，使其依然是许多经典或特定延续性项目的理想之选。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让这颗凝聚尖端技术的功率器件，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电力电子系统的坚实基石，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:STW160N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW160N75F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的功率开关而烦恼吗？STW160N75F3正是为您而来的解决方案。这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有75V耐压和高达120A的连续电流能力，其核心魅力在于仅4毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松应对严苛的功率切换任务，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能帮助您提升开关频率，简化驱动设计。无论是用于提升现有方案的能效，还是为高密度设计注入强劲动力，STW160N75F3都能让您以更少的发热换取更大的输出功率，是实现高性能、高可靠性电力转换的得力助手。