STW88N65M5-4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW88N65M5-4技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为系统损耗和散热问题而困扰？当650V高压平台成为工业电源、新能源和电机驱动的标配，选择一款兼具高性能与可靠性的功率开关器件，往往决定了整个方案的成败。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义效率标杆的解决方案STW88N65M5-4。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh M5技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、大电流应用而生。

想象一下，在服务器电源的PFC电路中，或在太阳能逆变器的DC-AC转换环节，甚至在工业电机的变频驱动核心，STW88N65M5-4都能大显身手。其高达84A的连续漏极电流和650V的漏源电压额定值，为系统提供了充沛的功率处理能力和坚固的安全余量。更令人振奋的是，它在42A电流、10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的29毫欧。这意味着在每一次开关过程中，由导通损耗产生的热量被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的设备运行更冷静、更持久。

选择STW88N65M5-4，就是选择了一份从容与自信。其采用的第四引脚（Kelvin源极）TO-247-4L封装，能有效分离功率回路和驱动回路，显著抑制寄生电感带来的开关振荡和电压过冲，让开关过程更干净、更可控，极大简化了您的栅极驱动设计和EMI滤波挑战。同时，优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，让高频高效运行成为可能。这颗芯片是意法半导体对品质不懈追求的结晶，而通过值得信赖的ST代理渠道获取，您更能获得完整的技术支持、稳定的供货保障和可靠的品质溯源，为您的项目成功加上双保险。立即采用STW88N65M5-4，让它成为您下一代高性能电源或驱动系统的心脏，共同开启能效新纪元。

型号:STW88N65M5-4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-4
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:450W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4
封装/外壳:TO-247-4
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您正在设计需要处理高压大电流的电源或电机驱动方案吗？STW88N65M5-4正是为您而来的强大引擎。这颗基于意法半导体先进MDmesh M5技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和高达84A的电流处理能力，能轻松应对工业电源、光伏逆变器、UPS等领域的严苛需求。

它的核心魅力在于极低的导通损耗。在42A电流下，导通电阻仅29毫欧，这意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统效率显著提升，散热设计更简单。同时，其TO-247-4L封装集成了开尔文源极引脚，能有效优化开关性能，抑制振荡，让您轻松实现更干净、更快速的开关控制，从而构建出更紧凑、更可靠的下一代电力电子设备。