STW13N60M2

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临开关损耗与系统稳定性的两难抉择？今天，我们为您带来一个历经市场验证的卓越解决方案STW13N60M2。这款源自ST意法半导体MDmesh II Plus家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和11A的连续电流能力，早已成为众多高效电源和电机驱动应用中的中流砥柱。即便处于停产状态，其卓越的性能和广泛的市场存量，依然使其成为升级或维护现有经典设计的可靠选择，通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以稳定获取这颗性能标杆。

想象一下，在您的服务器电源、工业变频器或是高性能LED照明驱动器中，STW13N60M2正默默发挥着核心作用。它凭借仅380毫欧的低导通电阻（在5.5A，10V条件下），显著降低了传导损耗，让电能转换更加高效。同时，其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，有效减少了开关过程中的能量损失。这意味着您的系统不仅能以更低的温升运行，提升长期可靠性，更能直接转化为可观的能效提升和运营成本节约，让产品在市场上更具竞争力。

选择STW13N60M2，就是选择了一份经过时间淬炼的安心。TO-247的经典封装提供了出色的散热能力和机械强度，110W的功率耗散上限赋予了设计充足的余量。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）足以应对严苛的工业环境挑战。对于正在维护或升级基于此类高性能MOSFET平台的工程师而言，这颗芯片意味着无需重新设计，即可实现性能的完美延续和系统的稳定运行。它不仅仅是一个电子元件，更是保障您产品线持续、高效运转的一块基石。

• 型号:STW13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW13N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STW13N60M2正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和11A的强大电流处理能力，核心使命就是让您的电源转换或电机驱动系统运行得更流畅、更节能。

它采用先进的MDmesh II Plus技术，成功将导通电阻降至超低水平，这意味着在导通期间的能量损耗大幅减少，直接提升了整体效率。同时，其优化的动态特性有助于降低开关损耗，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件的体积，助力打造更紧凑、性能更优的电源解决方案。