STW20NK70Z

当您需要一款能在高压环境下稳定输出强劲动力的功率器件时，您是否曾为寻找兼具高耐压与低损耗的解决方案而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STW20NK70Z。这款采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，以其高达700V的漏源电压和20A的连续漏极电流，为您的高要求应用场景注入澎湃而可靠的能量核心。它不仅仅是一个开关，更是您系统效率与稳定性的坚实守护者。

想象一下，在工业电机驱动、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）乃至高功率照明镇流器等关键系统中，每一次开关动作都关乎整体性能与能耗。STW20NK70Z正是为此而生。其卓越的285毫欧超低导通电阻（在10A，10V条件下），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅降低，热量产生更少，从而让您的设备运行更凉爽、更高效。高达350W的功率耗散能力，配合TO-247-3的经典封装，确保了出色的散热性能和机械可靠性，即使在-55°C至150°C的严苛温度范围内也能游刃有余。

选择STW20NK70Z，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。它能够帮助您轻松简化电路设计，提升系统功率密度，并显著延长产品的使用寿命。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案咨询，确保您的项目供应链稳定无忧。让这颗凝聚尖端技术的功率芯片，成为您打造下一代高性能、高可靠性电力电子产品的秘密武器，开启能效革命的新篇章。

• 型号:STW20NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:185 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW20NK70Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压大电流开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STW20NK70Z来为您轻松化解！这颗基于SuperMESH技术的700V/20A N沟道MOSFET，是您提升系统能效的得力助手。

它凭借低至285毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行更高效、更凉爽。高达350W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围，确保了其在严苛环境下的卓越可靠性和稳定性。选择它，就是为您的设计注入强劲且可靠的核心动力。