STW6N95K5

当您设计的电源系统需要面对严苛的电压环境，同时还要追求极致的效率与可靠性时，您是否在寻找那颗能够承载重任的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STW6N95K5，这颗来自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，正是为挑战极限而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。其高达950V的漏源电压和9A的连续电流承载能力，为您构建坚固的电力防线，让系统在高压冲击下依然稳如磐石，将潜在的风险与损耗降至最低。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高功率LED照明或是新能源逆变器的核心电路中，STW6N95K5正发挥着无可替代的作用。它卓越的开关特性与低导通电阻，直接转化为更快的响应速度与更低的发热量，这意味着您的终端设备能够运行得更安静、更凉爽、更持久。无论是应对频繁的负载变化，还是需要长时间满负荷运行，这颗芯片都能游刃有余，确保能量以最高效的方式传递，将每一分电力都用在刀刃上，从而显著提升整机效率与功率密度。

选择STW6N95K5，就是选择了一份经得起未来考验的保障。其先进的SuperMESH5技术，在开关损耗和导通电阻之间取得了完美平衡，1.25欧姆的优异表现配合极低的栅极电荷，让驱动设计变得异常轻松，有效简化了您的电路布局并降低了外围元件成本。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-247封装，确保了在最恶劣的环境下依然保持稳定性能。为了确保您能便捷地获得这颗性能利器，我们推荐您通过官方授权的ST代理渠道进行采购，以获得原厂正品保障、全面的技术支持和可靠的供应链服务。立即采用STW6N95K5，让它成为您下一代高性能电源设计中，最值得信赖的伙伴。

• 型号:STW6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STW6N95K5正是为您破局而来的解决方案。这颗950V/9A的N沟道MOSFET，凭借其革命性的SuperMESH5技术，为您带来超低的导通电阻（Rds(on)）与开关损耗，让您的电源系统效率轻松跃升新台阶。

它能让您的高压开关电源、电机驱动或逆变器设计运行得更凉爽、更安静、更可靠。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更简单的驱动设计，让您轻松优化电路性能，同时有效降低整体系统成本。选择STW6N95K5，就是选择了一条通往更高功率密度和更强市场竞争力的高效路径。