STB60NF06LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB60NF06LT4技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能承载60A大电流、导通电阻低至14毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STB60NF06LT4，这颗基于先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，正是为高效、可靠的功率转换而生。

无论是工业电机驱动中需要快速响应的变频器，还是服务器电源里要求极高效率的DC-DC转换模块，甚至是不断小型化的车载充电器，STB60NF06LT4都能游刃有余。其高达60V的漏源电压和175°C的结温工作范围，赋予了它应对严苛环境的强大底气。在紧凑的D2PAK封装下，它实现了功率密度与散热能力的完美平衡，让您的产品在性能与体积之间不再需要艰难取舍。

选择STB60NF06LT4，就是选择了一份安心与超越。极低的栅极电荷（仅66nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统整体效率。其优异的导通电阻特性，即使在高温下也能保持稳定表现，显著减少了导通损耗和发热量。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更持久，可靠性大幅提升。我们信赖的ST代理伙伴能为您提供全面的技术支持与供应保障，确保您从设计到量产的每一步都顺畅无阻。当您需要一颗能扛起大电流、高可靠性的功率开关时，STB60NF06LT4无疑是让您的设计脱颖而出的智慧之选。

型号:STB60NF06LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性和易驱动需求的功率MOSFET吗？STB60NF06LT4正是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达60A的连续电流，凭借其低至14毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

这颗芯片采用意法半导体成熟的STripFET II技术，在仅需5V或10V的驱动电压下即可实现优异性能，简化您的驱动电路设计。其快速的开关特性和低栅极电荷，让您能够实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，助力产品小型化。无论是应对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的极致能效，STB60NF06LT4都是您构建高性能、高可靠性功率电路的坚实基石。