STD155N3LH6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD155N3LH6技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高电流下保持超低导通电阻的功率器件，将如何彻底改变您的电源模块和电机驱动方案。答案就在STD155N3LH6之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其DeepGATE与STripFET VI双重技术加持，将性能边界推向新的高度，专为那些拒绝平庸、苛求效率的工程师而生。

当您将它部署在服务器电源、高性能DC-DC转换器或电动工具的无刷电机驱动中时，其价值便展露无遗。高达80A的连续漏极电流承载能力，配合低至3毫欧的导通电阻，意味着在相同的输出功率下，由它产生的热量将大幅减少，系统温升得到显著抑制。这不仅提升了可靠性，更让您的散热设计变得前所未有的轻松，甚至可能减少散热片的尺寸与成本，为产品小型化与轻量化铺平道路。无论是应对工业环境的严苛挑战，还是满足消费电子对续航和静音的极致要求，它都能游刃有余。

选择STD155N3LH6，您选择的不仅仅是一个组件，更是一套经过市场验证的高性能解决方案。其5V的低驱动电压门槛，让它可以与众多主流控制器轻松匹配，简化您的驱动电路设计。极低的栅极电荷与输入电容，确保了超快的开关速度，有效降低了开关损耗，让系统整体效率再上一个台阶。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性与稳定性。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能猛兽，专业的ST代理商将为您提供从选型支持到稳定供应的全方位服务，确保您的创新想法能够快速、稳妥地转化为具有市场竞争力的产品。

型号:STD155N3LH6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-252（DPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:最后售卖
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-252（DPAK）
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源效率难以突破而烦恼吗？STD155N3LH6正是为您的高效能源转换设计而来。这颗采用先进DeepGATE技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在40A电流、10V驱动下仅3毫欧。这意味着它能将导通损耗降至极低，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为优化开关性能而生。极低的栅极电荷（仅80nC @ 5V）和优化的电容特性，让开关速度更快，显著减少开关过程中的能量损失。无论是用于同步整流、负载开关，还是电机控制，它都能让您轻松实现更高的功率密度和更出色的整体能效，同时其坚固的D2PAK封装确保了卓越的功率耗散能力与可靠性。