STF260N4F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF260N4F7技术参数详情：

在追求极致能效与功率密度的今天，您的电源或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够承载90A大电流，同时将导通电阻压降至仅2.5毫欧的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃与能效革命？这正是STF260N4F7为您呈现的非凡价值。作为ST意法半导体STripFET F7家族的杰出代表，它不仅仅是一个参数表上的佼佼者，更是您攻克高功率密度设计挑战的可靠伙伴。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是新能源车车载充电器(OBC)和DC-DC转换环节，STF260N4F7都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达90A的连续电流能力，为48V及以下系统架构提供了坚实的基石。更关键的是，其极低的Rds(on)特性直接转化为更少的导通损耗，意味着更低的温升和更高的系统可靠性，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的效率和稳定性脱颖而出。

选择STF260N4F7，就是选择了一种经过验证的高性能路径。其采用的先进STripFET F7技术，在硅片层面进行了深度优化，确保了在10V驱动电压下即可实现极佳的通态性能。低至67nC的栅极电荷(Qg)与优化的内部结构，共同带来了更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。同时，宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它适应工业级和汽车级严苛环境应用的强大韧性。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性于一身的功率MOSFET时，通过值得信赖的ST中国代理进行采购，不仅能确保产品原装正品和稳定供应，还能获得及时的技术支持与选型服务，让您的创新之旅全程无忧。

制造商产品型号：STF260N4F7
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：MOSFET N-CH 40V 90A TO220FP
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：STripFET F7
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
25°C时电流-连续漏极(Id)：90A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 毫欧 @ 60A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：67nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5640pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：35W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-220FP
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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和高可靠性的功率开关而烦恼吗？STF260N4F7正是为您的高效设计而来。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达90A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅2.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它基于ST先进的STripFET F7技术打造，具备极低的栅极电荷和优化的动态特性，让您轻松实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，提升功率密度。无论是面对工业电机控制、大电流DC-DC转换，还是对效率有苛刻要求的同步整流应用，STF260N4F7都能以卓越的电气性能和TO-220FP封装带来的良好散热能力，助您轻松构建更强大、更可靠的电力核心。