STF30N65M5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，如果有一款功率器件，能够将卓越的导通性能与超低的开关损耗完美结合，您的产品将释放出怎样的性能潜力？现在，这一切不再是想象。由ST意法半导体推出的STF30N65M5，正是为满足这一严苛需求而生的高性能N沟道MOSFET，它基于业界领先的MDmesh V技术平台，旨在为您的设计注入强劲动力。

这款器件拥有高达650V的漏源击穿电压和22A的连续漏极电流能力，为各种中高功率应用提供了坚实的保障。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅需139毫欧，这意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效地转化为有用功，直接提升了系统的整体效率。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STF30N65M5都能游刃有余地应对高电压、大电流的挑战，确保系统运行稳定可靠。

选择STF30N65M5，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一份对卓越性能和长期可靠性的承诺。其优化的栅极电荷（Qg）特性，使得开关过程更加迅速、平滑，进一步降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。同时，TO-220FP封装提供了出色的散热性能和便捷的通孔安装方式，简化了生产流程。虽然该型号已进入停产状态，但通过值得信赖的ST芯片代理，您依然可以获取库存或寻找完美的升级替代方案，确保您的供应链稳定和产品生命周期延续。让STF30N65M5成为您打造下一代高效、紧凑型电源解决方案的秘密武器，开启能效新纪元。

• 型号:STF30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF30N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关？STF30N65M5正是您的理想之选。这颗基于MDmesh V技术的650V N沟道MOSFET，以其仅139毫欧的超低导通电阻，让您轻松实现更低的传导损耗，显著提升电源转换效率。

它具备22A的强大电流处理能力，结合优化的开关特性，能有效降低系统工作温度与电磁干扰。无论是用于提升工业驱动器的可靠性，还是打造更紧凑的太阳能逆变器，STF30N65M5都能让您的设计更高效、更稳健，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。