STH240N10F7-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH240N10F7-2技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰？想象一下，一个关键开关器件能将导通损耗大幅降低，让整个系统的温升更平缓，寿命更长久这正是STH240N10F7-2为您带来的核心价值。作为ST意法半导体STripFET家族的明星成员，它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

这颗芯片的强大，首先体现在它惊人的电流处理能力和极低的导通电阻。在100V的电压平台上，它能持续承载高达180A的电流，而导通电阻在典型工作条件下仅为2.5毫欧。这意味着什么？意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更高的系统效率触手可及。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断演进的新能源汽车车载充电机(OBC)和DC-DC转换器，STH240N10F7-2都能游刃有余地应对高功率密度设计的严苛挑战。其H2PAK-2封装不仅提供了优异的散热性能，确保300W的功率耗散能力，其表面贴装形式也完美契合现代自动化生产的需求，让您的制造流程更高效、更可靠。

选择STH240N10F7-2，就是选择了一份经得起考验的稳定与高效。它宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性，从酷寒到极热都能稳定运行。优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更加迅速、干净，有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI)，让您的系统设计更容易通过各项认证。当您需要构建一个高效、紧凑且可靠的功率转换方案时，这颗芯片就是那块最坚实的基石。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能为您提供原装正品的STH240N10F7-2，更能带来专业的技术支持和供应链保障，让您的创新之路再无后顾之忧。

型号:STH240N10F7-2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11550 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找能同时驾驭高电流与低损耗的功率开关解决方案吗？STH240N10F7-2正是为您而来的答案。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达180A的连续电流能力，而其核心魅力在于仅2.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它采用散热性能优异的H2PAK-2封装，轻松应对300W的功率耗散，确保系统在高负载下依然冷静运行。优化的动态参数（如栅极电荷）让开关更迅捷，帮助您减少开关损耗并简化驱动电路设计。无论是追求极致能效的服务器电源，还是要求高可靠性的工业变频器，STH240N10F7-2都能让您的产品性能脱颖而出，设计工作变得更加轻松高效。