STI26NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI26NM60N技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界里，您是否还在为如何平衡系统性能与成本而苦恼？想象一下，一颗功率器件，不仅拥有600V的坚固耐压屏障，更能以仅165毫欧的超低导通电阻，将20A的电流高效驯服，将每一分电能都转化为实实在在的驱动力。这正是STI26NM60N为您带来的核心价值它并非简单的开关，而是提升整机效率、增强系统可靠性的能量枢纽。

无论是工业电机驱动中需要频繁启停的严苛工况，还是开关电源（SMPS）内要求高效能量转换的核心拓扑，甚至是照明与充电桩等对长期稳定运行有极高要求的应用场景，STI26NM60N都能凭借其源自ST意法半导体MDmesh II技术的卓越基因，游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）与电容特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统设计不仅跑得快，更能跑得“省”。在高温环境下，它高达150°C的结温（TJ）和稳健的封装，提供了额外的安全余量，确保设备在复杂环境中依然坚若磐石。

选择STI26NM60N，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。它代表了在特定电压与电流等级下，一个经过深思熟虑的性能平衡点。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的设计和广泛的应用基础，使其在存量市场与特定升级方案中依然闪耀着价值。对于寻求稳定供应与专业支持的开发者而言，通过值得信赖的ST一级代理渠道进行咨询与采购，是获取正品保障与深度技术后援的明智之举。让这颗凝聚了先进功率处理智慧的核心，成为您下一代高性能、高可靠性电力电子设备的坚实基石。

型号:STI26NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:I2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:140W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:I2PAK
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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还在寻找那颗能让您的电源或电机驱动方案既强劲又高效的“心脏”吗？STI26NM60N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，拥有600V的耐压和20A的连续电流处理能力，其核心魅力在于低至165毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它为您简化了驱动设计，10V的标准驱动电压兼容性强，而优化的栅极电荷（Qg）则有助于提升开关速度，减少开关损耗。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，它都能让您轻松构建出更高效、更可靠的电路。其坚固的I2PAK通孔封装和高达150°C的结温，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，是提升产品市场竞争力的得力助手。