STL6N3LLH6

想象一下，您正在设计一款需要极致能效的便携式设备，每一次开关转换的损耗都直接影响着用户体验和续航时间。这正是STL6N3LLH6大显身手的舞台。作为意法半导体DeepGATE和STripFET VI技术的结晶，这颗N沟道功率MOSFET不仅仅是一个开关，更是您实现高效能量管理的核心引擎。它凭借低至25毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，将每一次开关的损耗降至最低，让宝贵的电池能量更多地用于驱动您的创新应用，而不是浪费在发热上。

无论是需要快速响应的电机驱动，还是对空间和效率都极为苛刻的DC-DC转换器，或是便携式设备中的负载开关，STL6N3LLH6都能完美胜任。其30V的漏源电压和高达13A的连续漏极电流能力，为中小功率应用提供了坚实的保障。而PowerFlat（2x2）的超紧凑封装，更是为您的PCB布局节省了宝贵的空间，让设计更加灵活自由。在-55°C到150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持稳定可靠的性能，从容应对各种严苛环境。

选择STL6N3LLH6，意味着您选择了一种经过市场验证的卓越技术路径。它代表了在性能、尺寸和可靠性之间的黄金平衡点。更低的导通电阻意味着更低的导通损耗，更小的栅极电荷则带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，这两者的结合直接转化为系统整体效率的显著提升和温升的有效控制。当您需要可靠的技术支持和本地化服务时，可以随时联系我们的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位支持。让STL6N3LLH6成为您下一款明星产品中那颗高效、可靠的“心脏”，驱动创新，赢得市场。

• 型号:STL6N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:283 pF @ 24 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
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还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？STL6N3LLH6正是您突破限制的利器。这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，拥有低至25毫欧的导通电阻和仅3.6nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效和更低的温升。

它能在4.5V的低驱动电压下高效工作，非常适合电池供电的便携设备。高达13A的电流承载能力和紧凑的PowerFlat封装，让您能在有限的空间内实现强大的功率处理能力。无论是同步整流、电机控制还是负载开关，选择STL6N3LLH6，就是选择为您的产品注入一颗高效、可靠的能量控制核心。