STP15NM60ND

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的选择而反复权衡？当600V的电压平台与14A的连续电流成为设计基础，一颗兼具性能与稳定性的MOSFET便是决定项目成败的关键。现在，让我们向您隆重介绍意法半导体FDmesh II系列中的明星产品STP15NM60ND。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您构建高效、坚固功率系统的信心基石。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）或照明镇流器的核心位置，STP15NM60ND正以其卓越的FDmesh II技术默默工作。这项技术显著降低了导通电阻，在7A电流、10V驱动电压下，其Rds(On)最大值仅为299毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（Qg最大值40nC）则带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率轻松跃升一个台阶。无论是应对工业环境的严苛挑战，还是满足消费类产品对紧凑空间与散热的高要求，它都能游刃有余。

选择STP15NM60ND，就是选择了一份经得起验证的保障。其TO-220AB的经典封装，提供了优异的功率耗散能力（最大125W）和便捷的安装方式，从原型设计到批量生产都顺畅无阻。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了它在极端环境下依然稳定可靠。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、出色的性能以及在众多成功应用中的口碑，使其成为库存优选或现有产品维护升级的理想选择。为确保您获得正品货源与可靠支持，我们建议您通过授权的ST一级代理进行采购。让STP15NM60ND成为您动力核心中那颗值得信赖的“心脏”，驱动您的产品迈向更高性能与更长久的使用寿命。

• 型号:STP15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP15NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起高压大电流重任的“硬核”开关吗？STP15NM60ND正是为您而来！这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和14A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动等高压功率电路时信心十足。

它的核心价值在于高效与可靠。极低的导通电阻（最大299mΩ）意味着更小的导通损耗，直接为您节省能源、降低温升；而优化的栅极电荷特性则助力实现更快的开关速度，提升系统整体响应效率。经典的TO-220AB封装兼顾了出色的散热与便捷的安装，助您轻松构建稳定、高效的功率转换解决方案。