STB140N4F6

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够同时实现低导通电阻、快速开关和卓越热性能的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源设计。STB140N4F6正是这样一款划时代的解决方案，它基于意法半导体先进的STripFET F6技术，专为应对严苛的高电流、高效率应用而诞生。

无论是服务器和数据中心里要求极高可靠性的DC-DC转换器，还是新能源汽车中关乎续航与性能的电机驱动和电池管理系统，甚至是工业自动化设备中需要稳定大功率输出的电机控制单元，STB140N4F6都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流能力，为工程师提供了宽广的设计裕度和强大的动力保障。这意味着您的产品不仅能处理更高的功率密度，还能在更紧凑的空间内稳定运行，直接提升了终端产品的市场竞争力和用户价值。

选择STB140N4F6，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其出色的热性能（功率耗散高达168W）确保了在长时间高负荷工作下的稳定性，大幅降低了系统过热的风险。而优化的栅极驱动特性，让开关过程更加干净利落，有效减少了开关损耗，从而提升了整体系统的能源效率。当您需要可靠、高性能的功率开关解决方案时，通过值得信赖的ST授权代理获取STB140N4F6，无疑是加速产品上市、确保供应链安全与品质的最佳途径。让它成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电力新纪元。

• 制造商产品型号：STB140N4F6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：168W（Tc）
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：D2PAK
• 现在可以订购STB140N4F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、兼顾高效与可靠的功率开关吗？STB140N4F6 N沟道MOSFET就是您的理想之选。它基于意法半导体成熟的STripFET F6技术，拥有40V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，让您在设计高功率密度电源、电机驱动或负载开关时信心十足。

这颗芯片能为您做什么？它凭借优异的性能，能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。其D2PAK封装提供了出色的散热能力，确保在大功率应用中稳定运行。无论是简化您的热管理设计，还是助力产品实现更紧凑的尺寸与更高的可靠性，STB140N4F6都能让您的设计工作变得更加轻松高效。