STB50NE10T4

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？当系统需要处理高达50A的连续电流时，一个可靠的功率开关选择往往决定了整个方案的成败。这正是STB50NE10T4大显身手的舞台。作为意法半导体STripFET家族的经典成员，它凭借卓越的性能参数，为工程师提供了坚实而高效的解决方案。

想象一下，在工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或不间断电源（UPS）的核心电路中，一颗功率MOSFET需要频繁地在开关状态间切换，承受着高电压和大电流的考验。STB50NE10T4正是为此而生。其100V的漏源电压和50A的连续电流能力，让它能够从容应对严苛的工业环境。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至27毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体效率与可靠性。从-65°C到175°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端温度下的稳定运行，让您的设计无惧环境挑战。

选择STB50NE10T4，不仅仅是选择了一颗高性能的N沟道MOSFET，更是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。其D2PAK封装提供了优异的散热能力和机械强度，非常适合表面贴装的大功率应用。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和久经市场验证的可靠性，使其在诸多现有产品升级或长生命周期项目中，依然是一个极具价值的选择。通过专业的ST代理渠道，您依然可以获取到可靠的货源和技术支持，为您的关键设计保驾护航。让这颗经典的功率器件，继续在您的系统中发挥余热，创造稳定高效的价值。

• 型号:STB50NE10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:166 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STB50NE10T4正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达50A的连续电流处理能力，让您在设计大功率电机驱动、电源转换或负载开关时信心十足。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（仅27毫欧@10V），能显著减少功率损耗和发热，从而提升系统整体效率。搭配D2PAK封装带来的出色散热性能，以及宽广的工作温度范围，确保您的应用在各种环境下都能稳定、高效地运行。